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MOSFETs HXY HAO5800E
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HAO5800E
点击复制 - 商品编号： G50848915
点击复制 - 封装规格： SOT-363
点击复制 - 商品描述： 这款N+N沟道场效应管(MOSFET)具有0.1A的最大连续漏极电流ID，适用于低功率电路设计。其额定漏源电压VDSS达到60V，导通电阻RDON为1300mΩ，确保了在有限电流条件下的稳定性能。栅源电压VGS工作范围是-20V至+20V，适合需要精确控制的应用场合。该MOSFET广泛应用于消费电子产品、小型家用设备及各种便携式装置中的开关控制与电源管理功能。
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HAO5800E 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HAO5800E 价格参考￥ 。 HXY HAO5800E 封装/规格： SOT-363, 这款N+N沟道场效应管(MOSFET)具有0.1A的最大连续漏极电流ID，适用于低功率电路设计。其额定漏源电压VDSS达到60V，导通电阻RDON为1300mΩ，确保了在有限电流条件下的稳定性能。栅源电压VGS工作范围是-20V至+20V，适合需要精确控制的应用场合。该MOSFET广泛应用于消费电子产品、小型家用设备及各种便携式装置中的开关控制与电源管理功能。。你可以下载 HAO5800E 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HAO5800E
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