• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HTK50P04M1
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• 商品编号： G50848914
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• 封装规格： TO252-2L
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• 商品描述： 该款N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID），适用于高电流需求的应用中。其最大工作电压（VDSS）为40V，确保了在多种电压环境下使用的安全性。导通电阻（RDSON）仅为7.7毫欧，在导通状态下能有效降低能量损耗，提高系统的整体效率。栅源电压（VGS）的最大值为20V，便于电路设计时的驱动控制。此MOSFET适用于需要高效能转换与控制的场合，如电源管理模块、便携式设备充电电路等。 该款N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID），适用于高电流需求的应用中。其最大工作电压（VDSS）为40V，确保了在多种电压环境下使用的安全性。导通电阻（RDSON）仅为7.7毫欧，在导通状态下能有效降低能量损耗，提高系统的整体效率。栅源电压（VGS）的最大值为20V，便于电路设计时的驱动控制。此MOSFET适用于需要高效能转换与控制的场合，如电源管理模块、便携式设备充电电路等。