• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSTD60NF55LAT4
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• 商品编号： G50848913
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• 封装规格： TO252-2L
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备50A的连续电流承载能力（ID），并在阻断电压（VDSS）上达到60V，适用于多种电子设备中的电源管理部分。其导通电阻（RDSON）仅为11毫欧，有助于减少能量损耗，提高效率。栅源电压（VGS）最大可达20V，确保了良好的开关性能。此MOSFET设计用于在消费电子产品中作为高效能的开关元件或放大器，能够在高频率下工作，提供稳定的电流控制。 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备50A的连续电流承载能力（ID），并在阻断电压（VDSS）上达到60V，适用于多种电子设备中的电源管理部分。其导通电阻（RDSON）仅为11毫欧，有助于减少能量损耗，提高效率。栅源电压（VGS）最大可达20V，确保了良好的开关性能。此MOSFET设计用于在消费电子产品中作为高效能的开关元件或放大器，能够在高频率下工作，提供稳定的电流控制。