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MOSFETs HXY HTK11S10N1L
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HTK11S10N1L
点击复制 - 商品编号： G50848912
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备30安培的最大连续漏极电流和100伏特的漏源击穿电压，确保了其在高功率应用中的稳定性能。其导通电阻仅为35毫欧，在大电流通过时能够保持较低的发热水平，提高了效率和可靠性。该MOSFET的栅极阈值电压为20伏特，适用于需要快速开关响应的应用场合。此元件广泛适用于电源管理、信号放大及各类电子设备中，是设计高性能电路的理想选择。(TK11S10N1L,LQ)
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HTK11S10N1L 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HTK11S10N1L 价格参考￥ 。 HXY HTK11S10N1L 封装/规格： TO252-2L, 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备30安培的最大连续漏极电流和100伏特的漏源击穿电压，确保了其在高功率应用中的稳定性能。其导通电阻仅为35毫欧，在大电流通过时能够保持较低的发热水平，提高了效率和可靠性。该MOSFET的栅极阈值电压为20伏特，适用于需要快速开关响应的应用场合。此元件广泛适用于电源管理、信号放大及各类电子设备中，是设计高性能电路的理想选择。(TK11S10N1L,LQ)。你可以下载 HTK11S10N1L 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HTK11S10N1L
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