• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HIRFR9120NTRPBF
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• 商品编号： G50848910
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• 封装规格： TO-252-2L(DPAK)
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• 商品描述： 这款P沟道MOSFET的最大连续漏极电流为10A，能够承受高达60V的漏源电压。其导通电阻仅为125毫欧姆，有助于减少能量损失并提高效率。该器件支持20V的栅源电压，适合在需要高效开关操作和良好热性能的应用中使用，例如消费电子产品中的电源管理和信号路径控制等场景。其优异的电气特性使其成为实现紧凑设计和高性能电路的理想选择。 这款P沟道MOSFET的最大连续漏极电流为10A，能够承受高达60V的漏源电压。其导通电阻仅为125毫欧姆，有助于减少能量损失并提高效率。该器件支持20V的栅源电压，适合在需要高效开关操作和良好热性能的应用中使用，例如消费电子产品中的电源管理和信号路径控制等场景。其优异的电气特性使其成为实现紧凑设计和高性能电路的理想选择。