上传BOM 
购物车
MOSFETs HXY HDMG4511SK4
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HDMG4511SK4
点击复制 - 商品编号： G50848906
点击复制 - 封装规格： TO252-4L
点击复制 - 商品描述： 这款N+P沟道场效应管（MOSFET）具有20A的漏极电流（ID）处理能力，以及30V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为16毫欧，有助于减少电力损耗，提高效率。该MOSFET适用于最大20V的栅源电压（VGS），使其能够在广泛的电压范围内可靠工作。这种类型的MOSFET适合用于消费类电子产品中的开关和放大应用，如适配器、充电器及其他需要高效能电源管理的场景。(DMG4511SK4-13)
下载EDA模型- 型号推荐
- 最新产品推荐
- 品牌分类
HDMG4511SK4 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HDMG4511SK4 价格参考￥ 。 HXY HDMG4511SK4 封装/规格： TO252-4L, 这款N+P沟道场效应管（MOSFET）具有20A的漏极电流（ID）处理能力，以及30V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为16毫欧，有助于减少电力损耗，提高效率。该MOSFET适用于最大20V的栅源电压（VGS），使其能够在广泛的电压范围内可靠工作。这种类型的MOSFET适合用于消费类电子产品中的开关和放大应用，如适配器、充电器及其他需要高效能电源管理的场景。(DMG4511SK4-13)。你可以下载 HDMG4511SK4 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HDMG4511SK4
工商网监