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MOSFETs HXY HNTR5103N
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HNTR5103N
点击复制 - 商品编号： G50848902
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有0.3A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源极击穿电压（VDSS），适合应用于需要较高电压耐受能力的电路中。其导通电阻（RDON）为1000毫欧，虽然相对较高，但在低电流条件下仍能有效运作，减少发热。最大栅源极电压（VGS）达到20V，保证了良好的驱动特性和稳定性。此元件适用于各种便携式电子产品中的电源控制、电池管理和信号调理等场合，是实现高效、可靠电路设计的重要组件。(NTR5103NT1G)
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HNTR5103N 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HNTR5103N 价格参考￥ 。 HXY HNTR5103N 封装/规格： SOT-23, 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有0.3A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源极击穿电压（VDSS），适合应用于需要较高电压耐受能力的电路中。其导通电阻（RDON）为1000毫欧，虽然相对较高，但在低电流条件下仍能有效运作，减少发热。最大栅源极电压（VGS）达到20V，保证了良好的驱动特性和稳定性。此元件适用于各种便携式电子产品中的电源控制、电池管理和信号调理等场合，是实现高效、可靠电路设计的重要组件。(NTR5103NT1G)。你可以下载 HNTR5103N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HNTR5103N
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