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MOSFETs HXY HDMN62D0UDWQ7
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HDMN62D0UDWQ7
点击复制 - 商品编号： G50848901
点击复制 - 封装规格： SOT-363
点击复制 - 商品描述： 该款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下电气特性：最大漏极电流ID为0.1A，最高漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON为1300mΩ，栅源电压范围VGS为±20V。这款MOSFET适用于需要高效率开关操作的电路中，如电源管理、电池保护和信号切换等应用场合。其低导通电阻有助于减少发热，提高系统整体能效。同时，该器件的小型化设计有利于节省PCB空间，适合于紧凑型电子产品设计。
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HDMN62D0UDWQ7 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HDMN62D0UDWQ7 价格参考￥ 。 HXY HDMN62D0UDWQ7 封装/规格： SOT-363, 该款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下电气特性：最大漏极电流ID为0.1A，最高漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON为1300mΩ，栅源电压范围VGS为±20V。这款MOSFET适用于需要高效率开关操作的电路中，如电源管理、电池保护和信号切换等应用场合。其低导通电阻有助于减少发热，提高系统整体能效。同时，该器件的小型化设计有利于节省PCB空间，适合于紧凑型电子产品设计。。你可以下载 HDMN62D0UDWQ7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HDMN62D0UDWQ7
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