• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNVH4L015N065SC1
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• 商品编号： G50843380
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• 封装规格： TO247-4L
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• 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有120A的电流处理能力（ID/A），并能够承受高达650V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为15毫欧，有助于减少导通状态下的功率损失。该MOSFET设计支持最高15V的栅源电压（VGS/V），适用于需要快速开关和高效率的应用领域，例如高性能的电源供应单元或者复杂的电力调节模块等场合。 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有120A的电流处理能力（ID/A），并能够承受高达650V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为15毫欧，有助于减少导通状态下的功率损失。该MOSFET设计支持最高15V的栅源电压（VGS/V），适用于需要快速开关和高效率的应用领域，例如高性能的电源供应单元或者复杂的电力调节模块等场合。