• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSCT018W65G34AG
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• 商品编号： G50843379
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• 封装规格： TO247-4L
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• 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）支持高达120安培的连续漏极电流（ID），并具备650伏特的漏源电压承受能力（VDSS）。其导通电阻仅为15毫欧姆（RDON），有助于实现低功耗和高效率。该器件的最大栅源电压（VGS）为15伏特，适用于需要快速开关速度与良好热性能的应用场合，比如高性能电源转换系统、逆变装置等，确保了在各种严苛条件下的稳定性和可靠性。 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）支持高达120安培的连续漏极电流（ID），并具备650伏特的漏源电压承受能力（VDSS）。其导通电阻仅为15毫欧姆（RDON），有助于实现低功耗和高效率。该器件的最大栅源电压（VGS）为15伏特，适用于需要快速开关速度与良好热性能的应用场合，比如高性能电源转换系统、逆变装置等，确保了在各种严苛条件下的稳定性和可靠性。