• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HIMZA65R072M1HXKSA1
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• 商品编号： G50843378
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• 封装规格： TO247-4L
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• 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有29A的连续电流（ID）处理能力，并且能够在高达650V（VDSS）的电压环境下可靠工作。其导通电阻（RDSON）仅为60毫欧，有助于降低能耗。该MOSFET设计的工作栅源电压（VGS）为±15V，能够适应不同类型的驱动信号。这些特性使得它非常适合应用于需要高效能和高频率操作的场合，例如便携式电子设备充电器、家用电器的电源模块以及高性能计算系统的电源供应单元等。 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有29A的连续电流（ID）处理能力，并且能够在高达650V（VDSS）的电压环境下可靠工作。其导通电阻（RDSON）仅为60毫欧，有助于降低能耗。该MOSFET设计的工作栅源电压（VGS）为±15V，能够适应不同类型的驱动信号。这些特性使得它非常适合应用于需要高效能和高频率操作的场合，例如便携式电子设备充电器、家用电器的电源模块以及高性能计算系统的电源供应单元等。