HNTHL030N120M3S 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HNTHL030N120M3S 价格参考¥ 。 HXY HNTHL030N120M3S 封装/规格: TO247-3L, 该碳化硅场效应管(MOSFET)是一款N沟道器件,具备1200V的高耐压能力(VDSS),适用于需要高效能和稳定性的电力转换场景。其最大连续漏极电流可达115A(ID),低至16mΩ的导通电阻(RDON)有助于减少工作时的能量损耗,提升整体效率。栅源电压范围为-15V至+15V(VGS),确保了良好的控制特性和兼容性。此款MOSFET特别适合于要求紧凑设计、高可靠性的电源管理解决方案中使用。。你可以下载 HNTHL030N120M3S 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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