• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HE3M0045065K
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• 商品编号： G50843374
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• 封装规格： TO247-4L
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• 商品描述： 此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备49A的连续电流能力（ID/A），最大漏源电压可达650V（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）为33毫欧，确保了在高电压应用中维持较低的能量损耗。栅源电压（VGS/V）支持从-5V到+20V的范围，增强了使用的灵活性。这些特性使其非常适合应用于要求高效能与高频率操作的电源转换解决方案中，如便携式电子产品充电设备或消费类电子产品中的电源管理系统。 此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备49A的连续电流能力（ID/A），最大漏源电压可达650V（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）为33毫欧，确保了在高电压应用中维持较低的能量损耗。栅源电压（VGS/V）支持从-5V到+20V的范围，增强了使用的灵活性。这些特性使其非常适合应用于要求高效能与高频率操作的电源转换解决方案中，如便携式电子产品充电设备或消费类电子产品中的电源管理系统。