• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HIMW65R048M1H
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• 商品编号： G50843373
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• 封装规格： TO247-3
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• 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备稳健的电气性能，连续导通电流ID可达49A，适用于多种高电流密度的设计。其最大漏源击穿电压VDSS为650V，确保了在高压应用中的可靠性。该器件拥有较低的导通电阻RDSON，仅为33毫欧，有助于减少热损耗，提高系统效率。栅源电压VGS的阈值范围是-5V至+20V，便于实现精确的开关控制。此MOSFET可广泛应用于需要高效率及高可靠性的电子装置中，如高频开关电源和其他注重性能稳定性的解决方案。 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备稳健的电气性能，连续导通电流ID可达49A，适用于多种高电流密度的设计。其最大漏源击穿电压VDSS为650V，确保了在高压应用中的可靠性。该器件拥有较低的导通电阻RDSON，仅为33毫欧，有助于减少热损耗，提高系统效率。栅源电压VGS的阈值范围是-5V至+20V，便于实现精确的开关控制。此MOSFET可广泛应用于需要高效率及高可靠性的电子装置中，如高频开关电源和其他注重性能稳定性的解决方案。