HSCT20N120AG 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSCT20N120AG 价格参考¥ 。 HXY HSCT20N120AG 封装/规格: TO247-3L, 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)支持最高18A的连续漏极电流与1200V的漏源电压,具有160毫欧姆的低导通电阻,能够有效降低能耗并提升效率。其栅源电压为20V,适用于需要在高压环境下实现高效能转换的应用场景。凭借优秀的电气特性和稳定性,该MOSFET非常适合对性能有严格要求的电源管理和转换系统使用。。你可以下载 HSCT20N120AG 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版: HSCT20N120AG