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MOSFETs HXY HTW048Z65C
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HTW048Z65C
点击复制 - 商品编号： G50843367
点击复制 - 封装规格： TO247-4L
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有49A的连续漏极电流(ID)能力和650V的漏源电压(VDSS)，适用于需要高电压处理能力的应用。其导通电阻为33mΩ(RDON)，有助于降低系统功耗并提高能效。栅源电压范围从-5V到+20V(VGS)，提供了良好的驱动兼容性和灵活性。该MOSFET适合应用于高效电源转换、逆变器设计以及其他要求快速开关速度和可靠性能的电子设备中。
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HTW048Z65C 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HTW048Z65C 价格参考￥ 。 HXY HTW048Z65C 封装/规格： TO247-4L, 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有49A的连续漏极电流(ID)能力和650V的漏源电压(VDSS)，适用于需要高电压处理能力的应用。其导通电阻为33mΩ(RDON)，有助于降低系统功耗并提高能效。栅源电压范围从-5V到+20V(VGS)，提供了良好的驱动兼容性和灵活性。该MOSFET适合应用于高效电源转换、逆变器设计以及其他要求快速开关速度和可靠性能的电子设备中。。你可以下载 HTW048Z65C 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HTW048Z65C
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