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MOSFETs HXY HIMZ120R030M1HXKSA1
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HIMZ120R030M1HXKSA1
点击复制 - 商品编号： G50843366
点击复制 - 封装规格： TO247-4L
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有63A的连续电流ID/A，最高承受电压VDSS/V为1200V，并拥有32毫欧的导通电阻RDSON/mΩ，栅源电压VGS/V为±15V。凭借其卓越的电气特性，此器件特别适合应用于需要高电压、大电流及低功耗的场合，例如高性能服务器电源模块、复杂电子系统的开关电源以及便携式储能设备的充电电路，能够在这些应用中实现高效的能量转换与管理。
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HIMZ120R030M1HXKSA1 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HIMZ120R030M1HXKSA1 价格参考￥ 。 HXY HIMZ120R030M1HXKSA1 封装/规格： TO247-4L, 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有63A的连续电流ID/A，最高承受电压VDSS/V为1200V，并拥有32毫欧的导通电阻RDSON/mΩ，栅源电压VGS/V为±15V。凭借其卓越的电气特性，此器件特别适合应用于需要高电压、大电流及低功耗的场合，例如高性能服务器电源模块、复杂电子系统的开关电源以及便携式储能设备的充电电路，能够在这些应用中实现高效的能量转换与管理。。你可以下载 HIMZ120R030M1HXKSA1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HIMZ120R030M1HXKSA1
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