HCMS120N080WK 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HCMS120N080WK 价格参考¥ 。 HXY HCMS120N080WK 封装/规格: TO247-4L, 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有良好的电气特性,最大漏极电流ID可达32A,支持1200V的漏源电压VDSS,适合高压环境下的应用。其导通电阻RDON为75mΩ,有助于降低功耗并提高效率。该MOSFET的工作栅源电压VGS为15V,确保了在多种电子设计中的兼容性与灵活性。凭借快速的开关速度和低损耗特点,它非常适合要求高效能和高可靠性的电力转换及控制方案中使用。。你可以下载 HCMS120N080WK 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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