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氮化镓晶体管(GaN HEMT) HXY HGS0650112LTR
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HGS0650112LTR
点击复制 - 商品编号： G50838613
点击复制 - 封装规格： DFN8_8X8MM
点击复制 - 商品描述： 这款氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)具备10安培的连续漏极电流(ID)能力和650伏特的漏源电压(VDSS)，导通电阻为160毫欧姆(RDON)，能够有效降低系统功耗。其栅源电压范围在-1.4至+7伏特(VGS)之间，属于N型晶体管。凭借出色的开关速度与效率，该产品非常适合应用于要求高性能的电源转换、消费类电子设备以及需要快速响应时间的场景中。
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HGS0650112LTR 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HGS0650112LTR 价格参考￥ 。 HXY HGS0650112LTR 封装/规格： DFN8_8X8MM, 这款氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)具备10安培的连续漏极电流(ID)能力和650伏特的漏源电压(VDSS)，导通电阻为160毫欧姆(RDON)，能够有效降低系统功耗。其栅源电压范围在-1.4至+7伏特(VGS)之间，属于N型晶体管。凭借出色的开关速度与效率，该产品非常适合应用于要求高性能的电源转换、消费类电子设备以及需要快速响应时间的场景中。。你可以下载 HGS0650112LTR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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