• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HIGLR65R140D2
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• 商品编号： G50838611
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• 封装规格： DFN-8(6x5)
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• 商品描述： 这款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）具有10安培的连续漏极电流(ID)能力和650伏特的漏源电压(VDSS)，导通电阻仅为160毫欧姆(RDON)，能够在高电压下保持较低的功耗。其栅源电压范围从-1.4伏特到+7伏特(VGS)，适用于N型电路设计。该器件以其优异的开关性能和低损耗特性，非常适合于高效电源转换、消费电子产品等需要快速响应和高效率的应用场合。 这款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）具有10安培的连续漏极电流(ID)能力和650伏特的漏源电压(VDSS)，导通电阻仅为160毫欧姆(RDON)，能够在高电压下保持较低的功耗。其栅源电压范围从-1.4伏特到+7伏特(VGS)，适用于N型电路设计。该器件以其优异的开关性能和低损耗特性，非常适合于高效电源转换、消费电子产品等需要快速响应和高效率的应用场合。