• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HGNP1150TCAZ
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• 商品编号： G50838609
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• 封装规格： DFN8_8X8MM
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• 商品描述： 这款N型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)具备优秀的电气性能，最大漏极电流ID为10A，支持650V的漏源电压VDSS，适用于需要高压处理能力的应用场景。其导通电阻RDON仅为160mΩ，有助于降低功耗并提高系统效率。工作栅源电压VGS范围从-1.4V到+7V，确保了良好的驱动兼容性和电路设计灵活性。该器件拥有快速开关特性和高可靠性，适合于高性能电源转换、无线通信及其他要求严苛的电子领域。 这款N型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)具备优秀的电气性能，最大漏极电流ID为10A，支持650V的漏源电压VDSS，适用于需要高压处理能力的应用场景。其导通电阻RDON仅为160mΩ，有助于降低功耗并提高系统效率。工作栅源电压VGS范围从-1.4V到+7V，确保了良好的驱动兼容性和电路设计灵活性。该器件拥有快速开关特性和高可靠性，适合于高性能电源转换、无线通信及其他要求严苛的电子领域。