• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNVH4L080N120SC1
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• 商品编号： G50838606
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• 封装规格： TO247-4L
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• 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）的最大导通电流（ID）为32A，适用于高密度功率应用场合。器件拥有高达1200V的漏源电压（VDSS），能够确保在高压条件下依然保持稳定性能。导通电阻（RDSON）为75毫欧，有助于减少能量损耗，提升系统的整体效率。栅源电压（VGS）的最大值为15V，确保了良好的开关控制特性。该MOSFET凭借其优异的电气特性，适用于各种需要耐高压和低损耗的高频开关电路设计。 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）的最大导通电流（ID）为32A，适用于高密度功率应用场合。器件拥有高达1200V的漏源电压（VDSS），能够确保在高压条件下依然保持稳定性能。导通电阻（RDSON）为75毫欧，有助于减少能量损耗，提升系统的整体效率。栅源电压（VGS）的最大值为15V，确保了良好的开关控制特性。该MOSFET凭借其优异的电气特性，适用于各种需要耐高压和低损耗的高频开关电路设计。