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MOSFETs HXY HSCTW40N120G2V
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSCTW40N120G2V
点击复制 - 商品编号： G50838605
点击复制 - 封装规格： TO247-3
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有36A的连续电流ID能力，适用于多种高效率电力转换应用。其最大漏源电压VDSS为1200V，适用于高压工作条件。导通电阻RDSON为80毫欧，有助于降低能耗。栅源电压VGS最高可达20V，便于匹配不同的驱动需求。此MOSFET适用于需要高压、低功耗特性的设计方案，如高性能的电源模块、智能电网设备中的逆变技术以及高效的能源转换装置。(SCTW40N120G2VAG)
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HSCTW40N120G2V 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSCTW40N120G2V 价格参考￥ 。 HXY HSCTW40N120G2V 封装/规格： TO247-3, 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有36A的连续电流ID能力，适用于多种高效率电力转换应用。其最大漏源电压VDSS为1200V，适用于高压工作条件。导通电阻RDSON为80毫欧，有助于降低能耗。栅源电压VGS最高可达20V，便于匹配不同的驱动需求。此MOSFET适用于需要高压、低功耗特性的设计方案，如高性能的电源模块、智能电网设备中的逆变技术以及高效的能源转换装置。(SCTW40N120G2VAG)。你可以下载 HSCTW40N120G2V 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSCTW40N120G2V
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