上传BOM 
购物车
MOSFETs HXY HIMZ120R090M1HXKSA1
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HIMZ120R090M1HXKSA1
点击复制 - 商品编号： G50838604
点击复制 - 封装规格： TO247-4L
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)专为高性能需求设计，最大漏极电流可达32A，支持1200V的漏源电压，适用于高电压环境。其导通电阻为75mΩ，有助于减少功耗并提高效率。栅源电压为15V，确保了良好的驱动特性。此MOSFET适合应用于要求高效能与紧凑尺寸相结合的领域，如高端电源解决方案或需要在严苛条件下保持可靠性的电力转换系统中。
下载EDA模型- 型号推荐
- 最新产品推荐
- 品牌分类
HIMZ120R090M1HXKSA1 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HIMZ120R090M1HXKSA1 价格参考￥ 。 HXY HIMZ120R090M1HXKSA1 封装/规格： TO247-4L, 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)专为高性能需求设计，最大漏极电流可达32A，支持1200V的漏源电压，适用于高电压环境。其导通电阻为75mΩ，有助于减少功耗并提高效率。栅源电压为15V，确保了良好的驱动特性。此MOSFET适合应用于要求高效能与紧凑尺寸相结合的领域，如高端电源解决方案或需要在严苛条件下保持可靠性的电力转换系统中。。你可以下载 HIMZ120R090M1HXKSA1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HIMZ120R090M1HXKSA1
工商网监