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MOSFETs HXY HTW048N65C
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HTW048N65C
点击复制 - 商品编号： G50838603
点击复制 - 封装规格： TO-247
点击复制 - 商品描述： 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有49A的连续漏极电流（ID）处理能力，在阻断电压（VDSS）方面能达到650V。其导通电阻（RDSON）仅为33毫欧，这表明在导通状态下，该器件能有效降低电力损耗。栅源电压（VGS）范围从-5V到+20V，确保了宽泛的工作条件下的可靠性。这些特性使其适用于需要高效能、高耐压与快速开关特性的电子设备中，特别是在要求严苛的电源管理和转换应用中表现出色。(TW048N65C,S1F)
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HTW048N65C 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HTW048N65C 价格参考￥ 。 HXY HTW048N65C 封装/规格： TO-247, 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有49A的连续漏极电流（ID）处理能力，在阻断电压（VDSS）方面能达到650V。其导通电阻（RDSON）仅为33毫欧，这表明在导通状态下，该器件能有效降低电力损耗。栅源电压（VGS）范围从-5V到+20V，确保了宽泛的工作条件下的可靠性。这些特性使其适用于需要高效能、高耐压与快速开关特性的电子设备中，特别是在要求严苛的电源管理和转换应用中表现出色。(TW048N65C,S1F)。你可以下载 HTW048N65C 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HTW048N65C
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