• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNTH4L080N120SC1
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• 商品编号： G50838601
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• 封装规格： TO247-4L
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• 商品描述： 这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，其连续 drain 电流（ID）可达 32A，在阻断电压（VDSS）方面则高达 1200V。此器件导通电阻（RDSON）仅为 75毫欧，有助于减少功率损耗。其栅源电压（VGS）的最大绝对值为 15V，确保了可靠的开关性能。作为一款N沟道MOSFET，它适用于多种高频开关应用中，例如在精密电源管理或消费类电子产品中实现高效能量转换。 这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，其连续 drain 电流（ID）可达 32A，在阻断电压（VDSS）方面则高达 1200V。此器件导通电阻（RDSON）仅为 75毫欧，有助于减少功率损耗。其栅源电压（VGS）的最大绝对值为 15V，确保了可靠的开关性能。作为一款N沟道MOSFET，它适用于多种高频开关应用中，例如在精密电源管理或消费类电子产品中实现高效能量转换。