上传BOM 
购物车
MOSFETs HXY HIMW120R220M1H
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HIMW120R220M1H
点击复制 - 商品编号： G50838600
点击复制 - 封装规格： TO247-3
点击复制 - 商品描述： 此款碳化硅场效应管（MOSFET）具有N沟道结构，其连续导通电流（ID/A）为17A，能够承受高达1200V（VDSS/V）的电压。器件的导通电阻（RDSON/mR）为160毫欧，确保了在高电压应用中的高效性能。该管子的栅源电压（VGS/V）操作范围是-4V至+18V，增强了其在不同电路设计中的适应性。适合用于需要高电压隔离与快速开关特性的场合，如高频逆变器、电信设备的电源管理及便携式电子设备充电解决方案等。(IMW120R220M1HXKSA1)
下载EDA模型- 型号推荐
- 最新产品推荐
- 品牌分类
HIMW120R220M1H 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HIMW120R220M1H 价格参考￥ 。 HXY HIMW120R220M1H 封装/规格： TO247-3, 此款碳化硅场效应管（MOSFET）具有N沟道结构，其连续导通电流（ID/A）为17A，能够承受高达1200V（VDSS/V）的电压。器件的导通电阻（RDSON/mR）为160毫欧，确保了在高电压应用中的高效性能。该管子的栅源电压（VGS/V）操作范围是-4V至+18V，增强了其在不同电路设计中的适应性。适合用于需要高电压隔离与快速开关特性的场合，如高频逆变器、电信设备的电源管理及便携式电子设备充电解决方案等。(IMW120R220M1HXKSA1)。你可以下载 HIMW120R220M1H 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HIMW120R220M1H
工商网监