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MOSFETs HXY HNVH4L025N065SC1
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HNVH4L025N065SC1
点击复制 - 商品编号： G50838597
点击复制 - 封装规格： TO247-4L
点击复制 - 商品描述： 这款碳化硅场效应管(MOSFET)采用N沟道设计，具备出色的电气性能。其最大漏极电流可达120A，支持高达650V的漏源电压，确保了在高功率场景下的可靠运行。导通电阻仅为15mΩ，有效降低能量损耗和发热，提高系统效率。栅源电压范围为-15V至+15V，提供良好的驱动兼容性。该产品适用于需要高效能、低热阻且能在高压条件下工作的多种应用场景，如高性能电源转换器或要求严格控制功耗的电子设备中。
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HNVH4L025N065SC1 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HNVH4L025N065SC1 价格参考￥ 。 HXY HNVH4L025N065SC1 封装/规格： TO247-4L, 这款碳化硅场效应管(MOSFET)采用N沟道设计，具备出色的电气性能。其最大漏极电流可达120A，支持高达650V的漏源电压，确保了在高功率场景下的可靠运行。导通电阻仅为15mΩ，有效降低能量损耗和发热，提高系统效率。栅源电压范围为-15V至+15V，提供良好的驱动兼容性。该产品适用于需要高效能、低热阻且能在高压条件下工作的多种应用场景，如高性能电源转换器或要求严格控制功耗的电子设备中。。你可以下载 HNVH4L025N065SC1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HNVH4L025N065SC1
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