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MOSFETs HXY HSCTW35N65G2V
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSCTW35N65G2V
点击复制 - 商品编号： G50838596
点击复制 - 封装规格： TO247-3
点击复制 - 商品描述： 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有49A的连续电流能力（ID），并在阻断电压（VDSS）方面能达到650V。其导通电阻（RDSON）仅为33毫欧，适用于要求高效能与高频率操作的应用中。该器件工作在栅源电压（VGS）范围从-5V至+20V之间，能够在多种电路设计中作为开关元件或放大器使用，尤其适合需要高压、大电流及低损耗特性的电子产品。
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HSCTW35N65G2V 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSCTW35N65G2V 价格参考￥ 。 HXY HSCTW35N65G2V 封装/规格： TO247-3, 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有49A的连续电流能力（ID），并在阻断电压（VDSS）方面能达到650V。其导通电阻（RDSON）仅为33毫欧，适用于要求高效能与高频率操作的应用中。该器件工作在栅源电压（VGS）范围从-5V至+20V之间，能够在多种电路设计中作为开关元件或放大器使用，尤其适合需要高压、大电流及低损耗特性的电子产品。。你可以下载 HSCTW35N65G2V 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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