• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSCT040W120G34
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• 商品编号： G50838595
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• 封装规格： TO247-4L
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• 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有78A的连续漏极电流能力和1200V的漏源电压耐受性，导通电阻仅为40mΩ，确保了较低的功率损耗和高效的能量转换。其栅源电压为18V，适用于需要高可靠性和快速开关速度的应用场景。该产品非常适合于高性能电源供应、太阳能逆变器及各种要求紧凑设计与高效率的电子设备中使用。 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有78A的连续漏极电流能力和1200V的漏源电压耐受性，导通电阻仅为40mΩ，确保了较低的功率损耗和高效的能量转换。其栅源电压为18V，适用于需要高可靠性和快速开关速度的应用场景。该产品非常适合于高性能电源供应、太阳能逆变器及各种要求紧凑设计与高效率的电子设备中使用。