• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HIMW120R014M1HXKSA1
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• 商品编号： G50838594
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• 封装规格： TO-247
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• 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有115A的连续电流承载能力（ID/A），并且能够承受最高1200V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mΩ）低至16毫欧，有助于降低系统功耗。栅源电压（VGS/V）为15V，确保了精确的开关控制。该MOSFET适用于需要高功率密度和高效能转换的应用场合，能够在高压环境下提供稳定的电流控制功能。 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有115A的连续电流承载能力（ID/A），并且能够承受最高1200V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mΩ）低至16毫欧，有助于降低系统功耗。栅源电压（VGS/V）为15V，确保了精确的开关控制。该MOSFET适用于需要高功率密度和高效能转换的应用场合，能够在高压环境下提供稳定的电流控制功能。