HSCT30N120 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSCT30N120 价格参考¥ 。 HXY HSCT30N120 封装/规格: TO247-3, 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)的最大导通电流(ID)为36A,断态电压(VDSS)为1200V,适用于高压环境下的电路设计。其导通电阻(RDSON)为80毫欧,有助于降低能耗,优化系统效率。该器件的工作栅源电压(VGS)为20V,适合应用于需要高压和低功耗特性的电源管理系统及电力转换设备中,能够提供可靠的电力控制解决方案。。你可以下载 HSCT30N120 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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