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MOSFETs HXY HAIMW120R080M1XKSA1
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HAIMW120R080M1XKSA1
点击复制 - 商品编号： G50838591
点击复制 - 封装规格： TO247-3
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有出色的电气特性，其最大工作电流ID/A为36A，可承受的漏源电压VDSS/V为1200V。导通状态下，其RDSON/mΩ仅为80毫欧，有助于减少能量损耗。栅源电压VGS/V的规格为±20V，使得该组件能够在多种电路配置中实现稳定的性能。由于碳化硅材料固有的优势，这种MOSFET能够在高温和高频条件下工作，适用于高性能电力转换及逆变技术领域，为设计者提供了构建紧凑且高效的电力处理系统的可能性。
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HAIMW120R080M1XKSA1 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HAIMW120R080M1XKSA1 价格参考￥ 。 HXY HAIMW120R080M1XKSA1 封装/规格： TO247-3, 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有出色的电气特性，其最大工作电流ID/A为36A，可承受的漏源电压VDSS/V为1200V。导通状态下，其RDSON/mΩ仅为80毫欧，有助于减少能量损耗。栅源电压VGS/V的规格为±20V，使得该组件能够在多种电路配置中实现稳定的性能。由于碳化硅材料固有的优势，这种MOSFET能够在高温和高频条件下工作，适用于高性能电力转换及逆变技术领域，为设计者提供了构建紧凑且高效的电力处理系统的可能性。。你可以下载 HAIMW120R080M1XKSA1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HAIMW120R080M1XKSA1
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