HNVHL160N120SC1 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HNVHL160N120SC1 价格参考¥ 。 HXY HNVHL160N120SC1 封装/规格: TO247-3, 这款碳化硅场效应管(MOSFET)具有18A的连续漏极电流(ID/A),能够承受高达1200V的漏源击穿电压(VDSS/V)。其导通电阻(RDSON/mR)仅为160毫欧姆,在20V的栅源电压(VGS/V)下工作。作为一款N沟道MOSFET,它适用于高效率开关电源、太阳能逆变器以及其他需要高性能、高可靠性的电力转换系统中,能够在高频操作条件下减少能量损失,提升整体系统的能效比。。你可以下载 HNVHL160N120SC1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版: HNVHL160N120SC1