上传BOM 
购物车
MOSFETs HXY HUJ3C120070K3S
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HUJ3C120070K3S
点击复制 - 商品编号： G50838584
点击复制 - 封装规格： TO247-3L
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有32A的最大工作电流ID/A，适用于需要较大电流的应用。其承受的漏源电压VDSS/V高达1200V，适用于高压环境。导通电阻RDSON/mΩ为75毫欧，有助于降低能耗。栅源电压VGS/V的最大值为15V，确保了可靠的门极驱动。碳化硅材料的优势在于其优异的热性能和高频率操作能力，这使得该MOSFET成为电力转换解决方案中的理想选择，尤其适用于追求高效与可靠性的电子设备中。
下载EDA模型- 型号推荐
- 最新产品推荐
- 品牌分类
HUJ3C120070K3S 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HUJ3C120070K3S 价格参考￥ 。 HXY HUJ3C120070K3S 封装/规格： TO247-3L, 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有32A的最大工作电流ID/A，适用于需要较大电流的应用。其承受的漏源电压VDSS/V高达1200V，适用于高压环境。导通电阻RDSON/mΩ为75毫欧，有助于降低能耗。栅源电压VGS/V的最大值为15V，确保了可靠的门极驱动。碳化硅材料的优势在于其优异的热性能和高频率操作能力，这使得该MOSFET成为电力转换解决方案中的理想选择，尤其适用于追求高效与可靠性的电子设备中。。你可以下载 HUJ3C120070K3S 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HUJ3C120070K3S
工商网监