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MOSFETs HXY HNTH4L160N120SC1
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HNTH4L160N120SC1
点击复制 - 商品编号： G50838583
点击复制 - 封装规格： TO247-4L
点击复制 - 商品描述： 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大导通电流ID为19A，在保证安全工作的前提下，能够承受的最大漏源电压VDSS为1200V。该器件的导通电阻RDSON仅为160毫欧，有助于减少能量损耗。其栅源电压VGS的最大值为20V，确保了良好的开关性能。此MOSFET适用于需要高电压处理能力和低电阻特性的电子设计中，能够在多种电路条件下提供可靠的电流控制功能。
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HNTH4L160N120SC1 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HNTH4L160N120SC1 价格参考￥ 。 HXY HNTH4L160N120SC1 封装/规格： TO247-4L, 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大导通电流ID为19A，在保证安全工作的前提下，能够承受的最大漏源电压VDSS为1200V。该器件的导通电阻RDSON仅为160毫欧，有助于减少能量损耗。其栅源电压VGS的最大值为20V，确保了良好的开关性能。此MOSFET适用于需要高电压处理能力和低电阻特性的电子设计中，能够在多种电路条件下提供可靠的电流控制功能。。你可以下载 HNTH4L160N120SC1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HNTH4L160N120SC1
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