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MOSFETs HXY HAIMZH120R160M1T
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HAIMZH120R160M1T
点击复制 - 商品编号： G50838581
点击复制 - 封装规格： TO247-4L
点击复制 - 商品描述： 这款碳化硅场效应管(MOSFET)是一款N沟道器件，具备19A的连续漏极电流(ID)能力和1200V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻仅为160mΩ(RDON)，能够有效降低系统能耗，提高效率。栅源电压(VGS)为20V，确保了良好的驱动性能和可靠性。该产品适用于需要高电压、大电流处理能力的应用场景，如高效电源转换、逆变器及开关电路设计等，是追求高性能与可靠性的理想选择。
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HAIMZH120R160M1T 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HAIMZH120R160M1T 价格参考￥ 。 HXY HAIMZH120R160M1T 封装/规格： TO247-4L, 这款碳化硅场效应管(MOSFET)是一款N沟道器件，具备19A的连续漏极电流(ID)能力和1200V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻仅为160mΩ(RDON)，能够有效降低系统能耗，提高效率。栅源电压(VGS)为20V，确保了良好的驱动性能和可靠性。该产品适用于需要高电压、大电流处理能力的应用场景，如高效电源转换、逆变器及开关电路设计等，是追求高性能与可靠性的理想选择。。你可以下载 HAIMZH120R160M1T 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HAIMZH120R160M1T
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