HNTHL080N120SC1A 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HNTHL080N120SC1A 价格参考¥ 。 HXY HNTHL080N120SC1A 封装/规格: TO247-3, 这款碳化硅场效应管(MOSFET)具备N沟道结构,最大导通电流(ID)可达36A,在断态下能承受最高1200V(VDSS)的电压。其导通电阻(RDSON)低至80毫欧,有助于减少导通状态下的能量损耗。该器件工作在最高20V的栅源电压(VGS)下,适用于需要高电压、大电流及高效能的应用场景中,如电源转换或电力管理等领域。。你可以下载 HNTHL080N120SC1A 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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