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MOSFETs HXY HIMW120R045M1XKSA1
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HIMW120R045M1XKSA1
点击复制 - 商品编号： G50838578
点击复制 - 封装规格： TO247-3L
点击复制 - 商品描述： 该碳化硅场效应管(MOSFET)是一款N沟道器件，具有出色的电气性能。其最大漏极电流ID为55A，能够承受高达1200V的漏源电压VDSS，确保了在高压应用中的可靠表现。低至40mΩ的导通电阻RDON有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，这款MOSFET的工作栅源电压VGS范围是18V，适用于需要高效能和高稳定性的电子设计场合。它结合了快速开关速度与坚固耐用的特点，非常适合于对性能有严格要求的领域。
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HIMW120R045M1XKSA1 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HIMW120R045M1XKSA1 价格参考￥ 。 HXY HIMW120R045M1XKSA1 封装/规格： TO247-3L, 该碳化硅场效应管(MOSFET)是一款N沟道器件，具有出色的电气性能。其最大漏极电流ID为55A，能够承受高达1200V的漏源电压VDSS，确保了在高压应用中的可靠表现。低至40mΩ的导通电阻RDON有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，这款MOSFET的工作栅源电压VGS范围是18V，适用于需要高效能和高稳定性的电子设计场合。它结合了快速开关速度与坚固耐用的特点，非常适合于对性能有严格要求的领域。。你可以下载 HIMW120R045M1XKSA1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HIMW120R045M1XKSA1
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