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MOSFETs HXY HAIMZH120R030M1T

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: HAIMZH120R030M1T
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  • 商品编号: G50838577
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  • 封装规格: TO247-4L
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  • 商品描述: 这款碳化硅场效应管(MOSFET)为N沟道类型,具有出色的电气性能。其最大漏极电流可达117A,支持高达1200V的漏源电压,确保了在高压环境下的稳定运行。导通电阻仅为33mΩ,有效降低能耗并提高效率。栅源电压范围从-4V至+18V,提供广泛的驱动兼容性。该产品适用于需要高效能、高可靠性的电力转换场景,如可再生能源系统或高性能电源供应装置中,能够满足对尺寸紧凑同时要求高性能的应用需求。

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型号:HAIMZH120R030M1T
MOSFETs
MOSFETs HXY HAIMZH120R030M1T
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HAIMZH120R030M1THXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HAIMZH120R030M1T 价格参考¥ 。 HXY HAIMZH120R030M1T 封装/规格: TO247-4L, 这款碳化硅场效应管(MOSFET)为N沟道类型,具有出色的电气性能。其最大漏极电流可达117A,支持高达1200V的漏源电压,确保了在高压环境下的稳定运行。导通电阻仅为33mΩ,有效降低能耗并提高效率。栅源电压范围从-4V至+18V,提供广泛的驱动兼容性。该产品适用于需要高效能、高可靠性的电力转换场景,如可再生能源系统或高性能电源供应装置中,能够满足对尺寸紧凑同时要求高性能的应用需求。。你可以下载 HAIMZH120R030M1T 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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