上传BOM 
购物车
MOSFETs HXY HUF3C120150K4S
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HUF3C120150K4S
点击复制 - 商品编号： G50838576
点击复制 - 封装规格： TO247-4L
点击复制 - 商品描述： 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大导通电流（ID/A）为19A，在保证安全工作的前提下，可以承受的最大漏源电压（VDSS/V）为1200V。该器件的导通电阻（RDSON/mΩ）仅为160毫欧，这有助于减少能量损耗，提高效率。栅源电压（VGS/V）的最大值为20V，确保了可靠的开关性能。此MOSFET适用于需要高电压、低损耗及高效能的应用场合，如电源转换和管理等。
下载EDA模型- 型号推荐
- 最新产品推荐
- 品牌分类
HUF3C120150K4S 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HUF3C120150K4S 价格参考￥ 。 HXY HUF3C120150K4S 封装/规格： TO247-4L, 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大导通电流（ID/A）为19A，在保证安全工作的前提下，可以承受的最大漏源电压（VDSS/V）为1200V。该器件的导通电阻（RDSON/mΩ）仅为160毫欧，这有助于减少能量损耗，提高效率。栅源电压（VGS/V）的最大值为20V，确保了可靠的开关性能。此MOSFET适用于需要高电压、低损耗及高效能的应用场合，如电源转换和管理等。。你可以下载 HUF3C120150K4S 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HUF3C120150K4S
工商网监