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MOSFETs HXY HNTH4L025N065SC1
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HNTH4L025N065SC1
点击复制 - 商品编号： G50838573
点击复制 - 封装规格： TO247-4L
点击复制 - 商品描述： 该款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）拥有120A的连续漏极电流（ID/A），并且设计有650V的漏源击穿电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）低至15毫欧姆，在15V的栅源电压（VGS/V）下表现出色。凭借其低损耗特性，该MOSFET适用于高功率密度转换应用，例如高性能的开关模式电源、不间断电源系统等，能够在高频开关应用中实现高效能和热稳定性，从而优化电力转换效率。
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HNTH4L025N065SC1 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HNTH4L025N065SC1 价格参考￥ 。 HXY HNTH4L025N065SC1 封装/规格： TO247-4L, 该款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）拥有120A的连续漏极电流（ID/A），并且设计有650V的漏源击穿电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）低至15毫欧姆，在15V的栅源电压（VGS/V）下表现出色。凭借其低损耗特性，该MOSFET适用于高功率密度转换应用，例如高性能的开关模式电源、不间断电源系统等，能够在高频开关应用中实现高效能和热稳定性，从而优化电力转换效率。。你可以下载 HNTH4L025N065SC1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HNTH4L025N065SC1
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