• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HIMZ120R220M1H
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• 商品编号： G50838571
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• 封装规格： TO247-4L
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• 商品描述： 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有19A的连续电流能力（ID/A），能够承受的最大电压（VDSS/V）为1200V。其导通电阻（RDSON/mR）为160毫欧，确保了较低的功耗。该器件的工作栅源电压（VGS/V）为±20V，适用于需要高效率和高频操作的应用，如电源转换系统、太阳能逆变器以及其他要求苛刻的电力管理解决方案中。其优越的性能使其成为高性能电力电子的理想选择。 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有19A的连续电流能力（ID/A），能够承受的最大电压（VDSS/V）为1200V。其导通电阻（RDSON/mR）为160毫欧，确保了较低的功耗。该器件的工作栅源电压（VGS/V）为±20V，适用于需要高效率和高频操作的应用，如电源转换系统、太阳能逆变器以及其他要求苛刻的电力管理解决方案中。其优越的性能使其成为高性能电力电子的理想选择。