• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSCTW60N120G2
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• 商品编号： G50838565
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• 封装规格： TO247-3L
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• 商品描述： 这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备优秀的电气特性，其连续电流ID可达55A，最大漏源电压VDSS为1200V。导通电阻RDSON仅为40毫欧，有助于减少导通损耗，提高效率。该MOSFET为N沟道类型，栅源电压VGS的最大值为18V，适用于需要高电压、大电流及高效能转换的应用场合，如高性能电源供应器、可再生能源系统中的逆变技术以及便携式充电设备等，能够显著提升系统的整体性能与可靠性。 这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备优秀的电气特性，其连续电流ID可达55A，最大漏源电压VDSS为1200V。导通电阻RDSON仅为40毫欧，有助于减少导通损耗，提高效率。该MOSFET为N沟道类型，栅源电压VGS的最大值为18V，适用于需要高电压、大电流及高效能转换的应用场合，如高性能电源供应器、可再生能源系统中的逆变技术以及便携式充电设备等，能够显著提升系统的整体性能与可靠性。