• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSCT20N120
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• 商品编号： G50838564
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• 封装规格： TO-247
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• 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有17A的额定电流（ID），适合用于要求不高但需稳定的电流应用中。它拥有1200V的最大漏源电压（VDSS），能够在高电压条件下可靠运作。该MOSFET的导通电阻（RDSON）为160毫欧，虽然较高，但在轻负载条件下依然能保持较好的效率。其栅源电压（VGS）的适用范围是-4V至+18V，这使得它能够适应多种控制信号。此款器件适用于需要高压、较低功率密度的应用场景，例如便携式电子设备充电器或小型电源转换装置。 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有17A的额定电流（ID），适合用于要求不高但需稳定的电流应用中。它拥有1200V的最大漏源电压（VDSS），能够在高电压条件下可靠运作。该MOSFET的导通电阻（RDSON）为160毫欧，虽然较高，但在轻负载条件下依然能保持较好的效率。其栅源电压（VGS）的适用范围是-4V至+18V，这使得它能够适应多种控制信号。此款器件适用于需要高压、较低功率密度的应用场景，例如便携式电子设备充电器或小型电源转换装置。