• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSCT070W120G34
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• 商品编号： G50838559
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• 封装规格： TO247-4L
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• 商品描述： 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大导通电流（ID）为32A，能够承受的最大漏源电压（VDSS）为1200V。在导通状态下的典型导通电阻（RDSON）为75毫欧（mΩ），适用于需要高电压及低损耗的应用场景。栅源电压（VGS）的最大值为15V，确保了可靠的开关性能。此器件适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高性能功率转换的场合，能够在保证效率的同时减少能量损失。 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大导通电流（ID）为32A，能够承受的最大漏源电压（VDSS）为1200V。在导通状态下的典型导通电阻（RDSON）为75毫欧（mΩ），适用于需要高电压及低损耗的应用场景。栅源电压（VGS）的最大值为15V，确保了可靠的开关性能。此器件适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高性能功率转换的场合，能够在保证效率的同时减少能量损失。