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MOSFETs HXY HNVH4L045N065SC1
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HNVH4L045N065SC1
点击复制 - 商品编号： G50838558
点击复制 - 封装规格： TO247-4L
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有97A的ID/A额定电流，适用于处理较大负载的应用。其最大漏源电压VDSS/V为650V，确保了在高压环境下的可靠性。导通状态下，该MOSFET的RDSON/mΩ仅为25毫欧，有助于减少能量损耗。工作栅源电压VGS/V范围是-5V到+20V，为电路设计提供了灵活性。此元件适合应用于需要高效能电力转换和精确控制的场合，如高性能计算设备中的电源管理系统或消费电子产品内的开关模式电源。
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HNVH4L045N065SC1 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HNVH4L045N065SC1 价格参考￥ 。 HXY HNVH4L045N065SC1 封装/规格： TO247-4L, 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有97A的ID/A额定电流，适用于处理较大负载的应用。其最大漏源电压VDSS/V为650V，确保了在高压环境下的可靠性。导通状态下，该MOSFET的RDSON/mΩ仅为25毫欧，有助于减少能量损耗。工作栅源电压VGS/V范围是-5V到+20V，为电路设计提供了灵活性。此元件适合应用于需要高效能电力转换和精确控制的场合，如高性能计算设备中的电源管理系统或消费电子产品内的开关模式电源。。你可以下载 HNVH4L045N065SC1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HNVH4L045N065SC1
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