• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSCTWA35N65G2V
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• 商品编号： G50838556
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• 封装规格： TO-247
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• 商品描述： 此款碳化硅场效应管（MOSFET）具有49A的最大连续漏极电流（ID），650V的断态漏源电压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为33毫欧，支持-5至+20V的栅源电压（VGS），属于N沟道类型。其出色的电气性能和可靠性，使之成为电源转换、逆变器以及精密电子设备中高频开关电源应用的理想选择，能够有效提升系统的效率和稳定性。 此款碳化硅场效应管（MOSFET）具有49A的最大连续漏极电流（ID），650V的断态漏源电压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为33毫欧，支持-5至+20V的栅源电压（VGS），属于N沟道类型。其出色的电气性能和可靠性，使之成为电源转换、逆变器以及精密电子设备中高频开关电源应用的理想选择，能够有效提升系统的效率和稳定性。