• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HIMZA65R030M1HXKSA1
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• 商品编号： G50838553
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• 封装规格： TO247-4L
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• 商品描述： 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有97A的最大电流承载能力（ID/A），以及650V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为25毫欧（mΩ），能够在高电压下保持较低的功耗。该MOSFET设计有±5至+20V的栅源电压范围（VGS/V），适用于需要高效率、高频开关特性的应用场合。其出色的电气特性使其成为高性能电源转换器及逆变电路的理想选择。 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有97A的最大电流承载能力（ID/A），以及650V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为25毫欧（mΩ），能够在高电压下保持较低的功耗。该MOSFET设计有±5至+20V的栅源电压范围（VGS/V），适用于需要高效率、高频开关特性的应用场合。其出色的电气特性使其成为高性能电源转换器及逆变电路的理想选择。