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MOSFETs HXY HIMZ120R140M1HXKSA1
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HIMZ120R140M1HXKSA1
点击复制 - 商品编号： G50838552
点击复制 - 封装规格： TO247-4L
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具备19A的最大漏极电流和高达1200V的漏源电压，适用于需要高电压处理能力的应用场景。其导通电阻为160mΩ，有助于平衡性能与功耗。栅源电压范围达到20V，确保了良好的驱动兼容性。该MOSFET特别适合于高性能电源管理、可再生能源转换系统等领域，在这些应用中，它能够提供稳定可靠的电气性能，并且支持紧凑的设计需求。
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HIMZ120R140M1HXKSA1 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HIMZ120R140M1HXKSA1 价格参考￥ 。 HXY HIMZ120R140M1HXKSA1 封装/规格： TO247-4L, 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具备19A的最大漏极电流和高达1200V的漏源电压，适用于需要高电压处理能力的应用场景。其导通电阻为160mΩ，有助于平衡性能与功耗。栅源电压范围达到20V，确保了良好的驱动兼容性。该MOSFET特别适合于高性能电源管理、可再生能源转换系统等领域，在这些应用中，它能够提供稳定可靠的电气性能，并且支持紧凑的设计需求。。你可以下载 HIMZ120R140M1HXKSA1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HIMZ120R140M1HXKSA1
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